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深圳市腾达电子经营部
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产品分类
产品信息
四、高频场效应管
GaAs
微波低噪声场效应管
适用于卫星接收及微波通信等
型
号
特
点
f
T
(GHz)
V
DS
(V)
I
D
(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封
装
FHX04X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
FHX05X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
FHX06X
卫星接收
12
3.5
30
45
0.75
10.5
12GHz
N-02
ATF10136
超低噪声
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
超低噪声
12
2
25
－
0.8
13
4GHz
N-02
ATF20136
超低噪声
12
2
25
－
1.2
13
4GHz
N-02
SGM5102
－
12
5
30
25
1.8
8.5
12GHz
N-02
FSC11LF
－
12
8
90
40
1.0
13
4GHz
N-02
SGH5612
－
12
4
70
50
1.05
10.5
12GHz
N-02
NE72084
－
12
5
150
40
0.8
－
4GHz
N-02
MGF1302
－
12
6
60
45
<1.4
>11
4GHz
N-02
MGF1303
－
12
6
40
40
<1.0
>12
4GHz
N-02
MGF1423
－
12
6
60
35
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF4310
－
12
4
50
－
<1.4
>9.5
12GHz
N-02
MGF1423
－
12
3
80
－
<2.3
>8
12GHz
N-02
MGF1902
－
12
3
100
－
<4.0
>5
12GHz
N-02
MGF1903
－
12
3
80
－
<2
>8
12GHz
N-02
GaAs
微波中功率场效应管
型
号
特
点
f
T
(GHz)
V
DS
(V)
I
D
(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封
装
MGF1601
Po=21dBm
12
12
250
90
－
8
8GHz
N-02
ATF10136
Po=20dBm
12
2
25
－
0.5
13
4GHz
N-02
ATF10236
Po=20dBm
12
2
25
－
0.8
13
4GHz
N-02
ATF20136
Po=20dBm
12
2
25
－
1.2
13
4GHz
N-02
GaAs
微波大功率场效应管
型
号
特
点
f
T
(GHz)
V
DS
(V)
I
D
(mA)
Gm
(ms)
P
1dB
(
dBm
)
PG
(dB)
测定条件
外
形
MGF0904
Po=28dBm
1.65
8
200
200
13
1.65GHz
14
×
4.3
×
1mm
MGF0905
Po=33dBm
1.65
8
800
800
－
8
1.65GHz
14
×
4.3
×
1mm
FLL351
Po=3.3W
2.3
10
－
－
35.5
11.5
2.3GHz
－
FLL120
Po=10W
2.3
10
－
－
40
10
2.3GHz
－
FLL500I
Po=50W
2
12
－
－
－
10
2GHz
－
FLL600
Po=60W
2
12
－
－
－
10
2GHz
－
GaAs
双栅场效应管
型
号
特
点
f
T
(GHz)
V
DS
(V)
I
D
(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封
装
*3SK240
超低噪声
1.0
9
50
19
1.0
20.5
0.8GHz
SC-82
*3SK228
－
1.0
12
50
34
1.3
19.6.
0.9GHz
SC-82
*3SK239
－
1.0
12
50
31
1.3
19
0.9GHz
SC-82
3SK229
－
1.0
12
50
34
1.3
20
0.9GHz
SOT14